Hittite Microwave Corporation - была основана доктором Я. Аясли (Yalcin Ayasli) в 1985 году. Главный офис расположен в штате Массачусетс, США. Отделения и представительства корпорации Hittite находятся в США, Канаде, Европе, Южной Азии, Японии, Новой Зеландии, Китае, Тайване, Индии, Австралии.
Продукция торговой марки Hittite выполнена на основе транзисторов типа MESFET, PHEMT, MHEMT и HBT, изготавливаемых на GaAs, InGaP/GaAs, InP, SiGe. Функциональные узлы и интегральные схемы имеют бескорпусное исполнение, либо монтируются в корпуса 20 унифицированных видов для поверхностного монтажа, созданные на основе специальных пластмасс и керамики, либо представляют собой герметизированные модули с коаксиальными SMA-соединителями. Корпорация активно выполняет современные экологические требования к материалам и технологиям в соответствии с директивой RoHS (ограничение применения вредных веществ) Европейского союза и выпускает RoHS-версии многих своих изделий.